《專訪》汎銓柳紀綸:切入故障分析為營運添動能(4-3)

【時報記者張漢綺台北報導】問:故障分析部分,汎銓(6830)如何切入布局?答:故障分析目前佔汎銓的營收是低於15%,相較MA比較低的原因是,長期以來,汎銓在資本支出投資的最主要方向都是放在材料分析,因為MA分析的毛利率最高,需求最旺,我們在保守穩健的投資原則上,較著注重材料分析而相對於故障分析的建置就比較緩慢。

我們很清楚故障分析的市場很大,一直在那裡等我們,我們在兩年前也開始加大投入故障分析,現在故障分析大本營是在台元科技園區,那裡也是很多IC設計公司集中的點,我們擁有地利跟大規模的新設備來服務這些客戶。

再者,故障分析的領域很多,我們針對獨特有利基以及成長性比較高的先行集中投入,例如:像化合物半導體的故障分析,我們是目前台灣唯一一家建置1000V以上到3000V故障分析量測平台;經由超過1000V以上的量測,我們可以協助客戶量測高壓元件的順向導通的時候Rdson,這是業界第一家可以做到的,隨著市場上有越來越多客戶都持續投入,預期有很高的成長性。另外一個就是汎銓在先進封裝(INFO/COWOS/CHIPLET 3D)與先進製程IC的FA投入,在先進封裝FA的競爭優勢包括:我們擁有超高頻TDR,有能力對2.5D/3D封裝體定位出來10 um級的open與高阻抗;且3D X-ray可以對2.5D/3D封裝體的open /short做穿透觀察,例如,5um WOW TSV封裝;此外,我們Thermal可定位z軸,達成um等級的XYZ定位,找出2.5D/3D封裝體缺陷。

至於先進製程IC的F A則是透過一系列電性定位設備(ingaas/obrich,CV,AFM),從um尺度定位到nm尺度,最後用Nano probe 進行元件尺度直接量測,其中汎銓針對先進製程IC開發Nano probe的技術優勢,包括:於0.1KV(極低電壓)的電子影像下,點測元件,電荷損傷極低;偵測pA等級的漏電訊號,可以測極微小電流差異;定位nA等級的EBAC亮點定位訊號,優異的極低漏電定位能力,以及低損傷的試片製備處理,符合先進製程客戶的需求

汎銓先進製程IC專用的Nano probe的技術,近期已經通過3家科技公司在3nm產品上的驗證。我們是唯一能做3nm量測的FA House,客戶可以從Nano probe量測結果與討論分析後解讀異常現象與失效原因,用來改善設計與半導體製程問題。

對於故障分析來說,我們努力的方向是增加服務項目與產量,同時要兼顧每個工作同仁的產值,這樣才能增加每個同仁的業績,讓同仁找的年收入提高,避免被挖角(IC設計公司),這也是呼應為何我們增加FA的策略是穩健的,放重點在特殊還是藍海的項目上。(4-3)